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創見4GB DDR3 Memory 240Pin Long-DIMM DDR3-1600MHz Unbuffer Non-ECC Memory
產品型號: TS512MLK64W6H
創見DDR3低電壓LONG-DIMM記憶體採用頂級顆粒與元件所製而成，完整通過縝密的實驗室測試，以確保其優異效能。配合1.35伏特超低額定電壓優勢，不僅為記憶體控制器帶來更小的電力負荷，相較於標準1.5伏特的記憶體，進而為企業降低15%耗電量。
DDR3為新一代記憶體規格，相較於DDR2之4位元預取緩衝架構，DDR3的8位元預取緩衝架構可提供更快的傳輸速率及更大的傳輸頻寬；搭配雙核心或四核心的處理器，能大幅提昇電腦系統的整體效能。此外，DDR3記憶體模組的工作電壓為1.5 伏特，相對於需要1.8伏特電壓的DDR2模組而言，能有效減低20%至30%的耗電量，並確保高速運算時的系統穩定度及效能。創見桌上型電腦專用的 DDR3-1066及DDR3-1333記憶體模組，目前分別推出 1GB、2GB及4GB三種容量，消費者可依需求選購。
創見 DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600桌上型電腦專用之盒裝記憶體模組採新式Fly-by電路架構設計，可使DRAM與控制器 (Controller)間的訊號傳輸更有效率；支援ODT（On-DIMM Termination）技術，可降低高速運作時記憶體訊號的回授，提高記憶體時脈的極限值。此外，其在佈線路徑、走線長度及電氣特性方面，均完全符合 JEDEC（the Joint Electron Device Engineering Council）的嚴格規範，可適用於嚴苛的工作環境，並避免雜訊干擾；搭載原廠128Mx8之FBGA記憶體晶片，可提供絕佳的電氣特性及散熱性，大幅提昇系統的整體效能。
產品特色:
記憶體產品穩定耐用?高度相容性保證
100%嚴密測試
終身保固
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資料來源：創見
針腳及模組： 240Pin Long-DIMM
頻率： DDR3-1600
功能： Unbuffer Non-ECC Memory
容量： 4GB
顆粒： 512Mx8 (bit) (單顆顆粒容量)
電壓： 1.35 V
ＣＬ值： 11
※以上規格資料若有任何錯誤，以原廠所公佈資料為準。
現省
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